碳化硅MOSFET入選國企數字技術成果

　　4月25日，國務院國資委在第四屆數字中國建設峰會上發布了十項國有企業數字技術成果。中國電科碳化硅MOSFET器件榜上有名。

　　碳化硅MOSFET是面向綠色環保、節能減排應用需求的電能轉換核心器件。作為寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室依托單位，中國電科國基南方WM1A系列碳化硅MOSFET產品件對標國際先進，突破了低損傷高溫高能離子注入及激活技術、高遷移率高可靠柵氧化技術、激光退火薄片工藝等多項關鍵技術，填補國內多項技術空白，在國內率先實現六英寸碳化硅MOSFET晶圓批產，建立材料外延、芯片制造、模塊封裝產業鏈布局，形成650V-6500V系列產品。最新研制的6500V碳化硅MOSFET產品，作為寬禁帶半導體器件，具有大功率、低損耗、耐高溫等特點，可應用于高壓輸變電領域，顯著提升功率轉換效率，大幅減少功率裝置的體積和重量，有效提升了電能轉換效率。

　　目前，國基南方研發的碳化硅系列產品很好滿足各領域對高端電力電子器件應用需求，已進入服務器電源、新能源發電、新能源汽車、電網輸變電等領域應用，有效促進了低碳數字經濟發展和能源結構升級。